WIEN2000使用全电子方案，亨通包含相对论影响。

最近，项术及随着(111)取向的单晶铜箔制备技术的发展，铜箔上可以实现大面积无皱褶单晶石墨烯的规模化制备。选取的9个区域的电子背散射衍射（EBSD）反极图没有任何差异，新技说明Cu（111）膜的晶体取向一致（图1e）。

然而，产品在无催化剂的绝缘衬底上生长高质量的石墨烯仍然存在挑战。利用从Cu（111）表面扩散到Cu（111）-Al2O3（0001）界面的碳原子，通过在Cu（111）-Al2O3（0001）界面生长石墨烯。经过十个循环的MPE-CVD生长后，电网在界面处合成了单晶石墨烯岛，其对齐的六边形形状和锋利的边缘表明生长的石墨烯具有高的质量（图2b）。

与原始的Al2O3（0001）晶片相比，评估石墨烯/Al2O3（0001）表现出由紫外-可见光（UV-vis）指示的较弱的可见光吸收（图3a）。亨通ID/IG比的均匀拉曼图表明石墨烯中几乎不存在缺陷（图2c）。

XRD花样表现出高度一致的尖锐Cu（111）峰且具有高的信噪比，项术及说明单晶Cu（111）薄膜具有优良的晶相和质量（图1f）。

光学显微图像显示，新技所生产的单晶Cu（111）几乎覆盖了2英寸Al2O3（0001）晶片的整个区域（图1d）。此外，产品大多数无机/硫复合材料常用的熔融浸渍合成方法也比较复杂。

特别得，通过聚合物由于其结构的可设计性、多功能性、优越的化学稳定性和可加工性在锂硫电池中得以广泛应用。电网c)PANI-S电极在放电/充电过程中的示意图。

要点五隔膜和电解质中的聚合物多孔隔膜作为LSBs中不可缺少的部件，评估对隔离正极与负极，避免短路起着至关重要的作用。亨通相关论文以题为PolymersinLithium–SulfurBatteries发表在AdvancedScience上。